Diode od galij nitrata na osnovi od bakra

Kineski znanstvenici uspjeli su prenijeti svjetleću diodu, tzv. LED (engl. light-emitting diode) od galij nitrida (GaN) sa silicijske osnove na osnovu od bakra.

Nova podloga od bakra omogućuje da kristali galij nitrida oslobode neke od unutarnjih naprezanja koja su nastala pri njihovom stvaranju. To opuštanje pomaže smanjiti tzv. „kvantno zatočeni Starkov efekt” koji je takvim diodama dosad umanjivao njihovu učinkovitost. U usporedbi sa svjetlećim diodama na silicijskim podlogama, jačina svjetla LED-a na bakru povećana je 122%. Prelazak dioda nije proizveo uočljive znakove pogoršanja djelovanja kristala u području emitiranja svjetla.

Istraživači su napredak u učinkovitosti pripisali uklanjanju apsorpcijske podloge, umetanju metalnog reflektora između diode i bakrene osnove; uklanjanja zasjenjenosti elektrode, što također smanjuje učinkovitost, te grube površine izloženog tampon sloja što je poboljšalo orijentaciju kristala prema podlozi. Rezultati istraživanja bit će uskoro objavljeni u američkom časopisu Applied Physics Letters.

 

Izvor: http://znanost.geek.hr/clanak/prelazak-led-a-sa-silicija-na-bakar-poboljsava-ucinkovitost/#ixzz1yshIyQtt

 

Leave a Comment