Hibridna memorija u tri dimenzije

IBM i Micron počeli su proizvoditi nove memorijske čipove temeljene na IBM-ovoj tehnologiji koja bi trebala osigurati 15 puta bolje performanse u odnosu na postojeće čipove.

Nova tehnologija koju su tvrtke predstavile koristit će se za proizvodnju Hybrid Memory Cube čipova koje će komercijalno proizvoditi Micron. IBM namjerava osigurati kontrolnu logiku koja će se koristiti u čipovima kao i tehnologiju za izradu čipova u tri dimenzije.

IBM-ova tehnologija nosi naziv Through-Silicon Via (TSV), a u osnovi je riječ o vertikalnim vodičima koji električki spajaju slojeve pojedinačnih čipova. Zbog mogućnosti slaganja pojedinih čipova jedan na drugi, TSV se često naziva 3D tehnologijom.

Korištenjem najnovijih Micronovih tehnologija za proizvodnju DRAM čipova i IBM-ove 3D tehnologije omogućeno je postizanje 15 puta većih brzina nego je bilo moguće dosadašnjim tehnologijama. Čipovi Hybrid Memory Cube nude brzine do 128 gigabajta u sekundi, dok za usporedbu najbolji memorijski čipovi proizvedeni klasičnim procesima nude brzinu od 12,8 GBps. Novi čipovi također troše 70% manje energije za prijenos podataka, a nude i kompaktniji dizajn, odnosno zauzimaju samo 10% površine klasičnih čipova istog kapaciteta.

Prvi čipovi Hybrid Memory Cube očekuju se na tržištu u drugoj polovici sljedeće godine.

Video:

http://youtu.be/h2swEqw6pbg

Izvor: bug.hr

Related Posts

Tags

Share This

Leave a Comment